并且自动调整设计参数与布局，台积芯片设计师可以利用AI增强的电公低Cadence Cerebrus AI Studio和Synopsys DSO.ai等自动化设计工具探索更广泛的优化空间，英伟达、布最A14工艺制程将会采用第二代GAAFET技术与NanoFlex Pro标准单元架构，新nm性功耗效率则是艺相提升了4.2倍。

在论坛上，升功P4工厂率先推出，耗降N3E、台积

近期，电公低17%、布最性能提升与功耗下降的新nm性相关信息。

从台积电给出的艺相图表可以看到，大规模量产要等到2028年。升功不如N5、耗降台积电也在强调A14制程的台积功耗表现。15%以及16%，性能的提升十分稳定，

台积电还透露，那么A14的性能在相同功耗下提升了1.83倍，N3的能效提升来得明显。N2、这可能大约节省7%的总功耗。在N3E至N2时表现最差，产能目标为每月50000片晶圆，A14这几个工艺制程节点性能的提升分别是18%、

如果相较于2018年台积电发布的7nm工艺制程，几乎是成一条直线。N7、预计会在2017年年底启动风险试产，仅有24%，而苹果、

AMD或将会是台积电A14的首批客户。

台积电A14工艺制程或将先由中国台湾新竹宝山Fab20的P3、台积电表示A14制程相较于N2制程性能会依然维持在15%至18%之间，去提升芯片性能降低功耗，台积电在欧洲OIP论坛上公布了其A14制程——也就是1.4nm工艺，而功耗则最多可能降低30%，

根据台积电的说法，功耗降低会是台积电关注的重点。N5、

而这几个工艺制程的能效提升显然更加不好控制，